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求P型MOS管型号

场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A ...

GT2301 GT3401 GT2305 GT3401 沟道是半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。 在场效应晶体管中,源区和漏区之间有一薄半导体层,电流在其中流动受栅极电势的控制。沟道...

P型MOS管的导通条件: 靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。...

海飞乐技术有很多规格参数:20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有:TO-220,TO-247,TO-3P,SOT-227。台湾工研院技术支持。

类似这样的问题我好像回答好多次了 MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧...

增强型比较清楚: 1、P沟道增强型:当UgsUgs(th)时,开启。这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V ~ 4V之间。 耗尽型的管子比较少见。 1、P沟道耗尽型:当UgsUgs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值。

BSO080P03NS3,30V,12A,8mΩ,P沟道 BSO301SP03NS3,30V,12.5A,8mΩ,P沟道 BSC060P03NS3,30V,17.7A,6mΩ,P沟道 BSC084P03NS3,30V,14.9A,8.44mΩ,P沟道 SPD5P03L,30V,50A,7mΩ,P沟道 IPD042P03L3,30V,70A,4.2mΩ,P沟道 最大导通电...

MOS场效应管分J型,增强型,耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体,P沟道是P型半导体,然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。 mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有极高的输入电阻。 结型场效应管在栅极与...

可以 参考

45P40,VDS =-40V,ID =-50A RDS(ON)

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